트랜지스터

TSM4436CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TSM4459CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 17A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6205pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TSM4800N15CX6 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 332pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-26
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6

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TSM4806CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 961pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TSM480P06CH X0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO251

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 66W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251 (IPAK)
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TSM480P06CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 27W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM480P06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 66W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM480P06CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 66W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TSM4N60ECH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 86.2W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251 (IPAK)
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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TSM4N60ECP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 86.2W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM4N70CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 56W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251 (IPAK)
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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TSM4N70CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 56W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM4N70CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 56W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM4N80CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A ITO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM4N80CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TSM4N90CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 900V 4A ITO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TSM4N90CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TSM4NB60CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

600V N CHANNEL MOSFET

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251 (IPAK)
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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TSM4NB60CH X0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251 (IPAK)
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TSM4NB60CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A ITO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM4NB60CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM4NB60CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TSM4NB65CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.46nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 549pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251 (IPAK)
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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TSM4NB65CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.46nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 549pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM4NB65CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.46nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 549pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM4NC50CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 453pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM4NC60CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A ITO220

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 654pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM4ND60CI

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 582pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 41.6W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM4ND65CI

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 596pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 41.6W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: ITO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM500N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.5A TO252

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 12.5W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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