트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STFI15N95K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP., 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ K5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 855pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음6,648
STFI15NM65N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 983pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음8,040
STFI16N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,038
STFI18N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,236
STFI20N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1345pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음17,346
STFI20NK50Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음13,188
STFI20NM65N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음13,536
STFI24N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 600V 18A TO281 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음9,552
STFI24NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음14,748
STFI260N6F6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음8,736
STFI26N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음15,972
STFI26NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음6,984
STFI28N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음14,460
STFI31N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1865pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음16,842
STFI34N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음15,714
STFI34NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 29A I2PAK FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2722pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음3,600
STFI40N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음8,730
STFI4N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음13,098
STFI5N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ K5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 177pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음4,050
STFI5N95K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음14,556
STFI6N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음13,812
STFI6N65K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음16,104
STFI6N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음14,580
STFI7LN80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음16,110
STFI7N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음15,084
STFI8N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음13,626
STFI9N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,676
STFI9N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음16,038
STFILED524 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음5,472
STFILED625 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음3,400

STFI15N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ K5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 855pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음6,648

STFI15NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 983pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음8,040

STFI16N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,038

STFI18N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,236

STFI20N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1345pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음17,346

STFI20NK50Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 119nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음13,188

STFI20NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음13,536

STFI24N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 18A TO281

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음9,552

STFI24NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음14,748

STFI260N6F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 183nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음8,736

STFI26N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음15,972

STFI26NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음6,984

STFI28N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음14,460

STFI31N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1865pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음16,842

STFI34N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음15,714

STFI34NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 29A I2PAK FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2722pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음3,600

STFI40N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음8,730

STFI4N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음13,098

STFI5N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ K5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 177pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음4,050

STFI5N95K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음14,556

STFI6N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음13,812

STFI6N65K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음16,104

STFI6N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음14,580

STFI7LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음16,110

STFI7N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음15,084

STFI8N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음13,626

STFI9N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,676

STFI9N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음16,038

STFILED524

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음5,472

STFILED625

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음3,400

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