트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRF6611 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,978
IRF6611TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,344
IRF6611TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,434
IRF6611TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,924
IRF6612TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 136A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,542
IRF6612TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 136A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음8,568
IRF6612TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 136A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,582
IRF6613TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음2,880
IRF6613TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음3,564
IRF6613TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음36,150
IRF6614 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음8,964
IRF6614TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음5,058
IRF6614TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음8,136
IRF6614TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음290,298
IRF6616 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음6,030
IRF6616TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,380
IRF6616TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,662
IRF6616TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음228,924
IRF6617TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음3,400
IRF6617TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음3,384
IRF6617TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음7,614
IRF6618 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음4,320
IRF6618TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음6,498
IRF6618TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음2,646
IRF6618TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT	재고 있음2,214
IRF6619 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음100,740
IRF6619TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음50,388
IRF6619TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음18,576
IRF6619TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,510
IRF6620TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,506

IRF6611

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,978

IRF6611TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,344

IRF6611TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,434

IRF6611TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,924

IRF6612TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,542

IRF6612TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음8,568

IRF6612TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,582

IRF6613TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음2,880

IRF6613TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음3,564

IRF6613TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음36,150

IRF6614

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음8,964

IRF6614TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음5,058

IRF6614TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음8,136

IRF6614TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음290,298

IRF6616

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음6,030

IRF6616TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,380

IRF6616TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,662

IRF6616TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3765pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음228,924

IRF6617TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음3,400

IRF6617TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음3,384

IRF6617TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음7,614

IRF6618

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음4,320

IRF6618TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음6,498

IRF6618TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음2,646

IRF6618TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MT

재고 있음2,214

IRF6619

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음100,740

IRF6619TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음50,388

IRF6619TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음18,576

IRF6619TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5040pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,510

IRF6620TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,506

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