트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 510µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1137pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음20,148
IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 660µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,672
IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 520µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1420pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음11,328
IPA50R280CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 30.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,166
IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30.4W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,820
IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,400
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,022
IPA50R380CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 29.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,078
IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음18,588
IPA50R399CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 330µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,274
IPA50R500CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,610
IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,326
IPA50R520CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 66W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,608
IPA50R650CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 27.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,010
IPA50R650CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,470
IPA50R800CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 26.4W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,382
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26.4W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,850
IPA50R950CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 25.7W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,434
IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25.7W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음17,040
IPA60R060C7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,184
IPA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2895pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,506
IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,928
IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.21mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음108,408
IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1819pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,564
IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.21mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3330pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,512
IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 600V 31A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 530µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1952pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음20,100
IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,542
IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 410µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,218
IPA60R125C6E8191XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,416
IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2127pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,864

IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 510µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1137pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음20,148

IPA50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 660µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,672

IPA50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 520µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1420pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음11,328

IPA50R280CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 30.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,166

IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30.4W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,820

IPA50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,400

IPA50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,022

IPA50R380CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 29.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,078

IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음18,588

IPA50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 330µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,274

IPA50R500CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,610

IPA50R500CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,326

IPA50R520CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 66W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,608

IPA50R650CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 27.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,010

IPA50R650CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,470

IPA50R800CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 26.4W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,382

IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26.4W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,850

IPA50R950CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 25.7W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,434

IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25.7W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음17,040

IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,184

IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2895pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,506

IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,928

IPA60R099C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 119nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음108,408

IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1819pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,564

IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3330pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,512

IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 31A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 530µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1952pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음20,100

IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,542

IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 410µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,218

IPA60R125C6E8191XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,416

IPA60R125C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 960µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2127pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,864

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