트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
GKI03080 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,214
GKI04031 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3910pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,964
GKI04048 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,730
GKI04076 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,784
GKI04101 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 18.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,484
GKI06071 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,438
GKI06109 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 23.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,570
GKI06185 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,762
GKI06259 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,714
GKI07113 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 27.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,690
GKI07174 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,022
GKI07301 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 12.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,538
GKI10194 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 20.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,408
GKI10301 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 14.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,722
GKI10526 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,214
GP1M003A040CG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A DPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,160
GP1M003A040PG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A IPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,694
GP1M003A050CG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,650
GP1M003A050FG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 17.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,418
GP1M003A050HG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,986
GP1M003A050PG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,928
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,496
GP1M003A080FH Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,550
GP1M003A080H Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3A TO220 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,508
GP1M003A080PH Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,870
GP1M003A090C Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 748pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,726
GP1M003A090PH Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 748pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,154
GP1M004A090FH Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 4A TO220F 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,734
GP1M004A090H Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 4A TO220 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 123W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,824
GP1M005A040CG Global Power Technologies Group	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 522pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,084

GKI03080

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,214

GKI04031

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3910pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,964

GKI04048

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,730

GKI04076

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,784

GKI04101

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 18.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,484

GKI06071

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,438

GKI06109

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,570

GKI06185

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,762

GKI06259

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,714

GKI07113

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 27.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,690

GKI07174

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,022

GKI07301

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,538

GKI10194

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 20.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,408

GKI10301

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,722

GKI10526

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,214

GP1M003A040CG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,160

GP1M003A040PG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,694

GP1M003A050CG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,650

GP1M003A050FG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 17.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,418

GP1M003A050HG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,986

GP1M003A050PG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,928

GP1M003A080CH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,496

GP1M003A080FH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,550

GP1M003A080H

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,508

GP1M003A080PH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 696pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,870

GP1M003A090C

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 748pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,726

GP1M003A090PH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 748pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,154

GP1M004A090FH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,734

GP1M004A090H

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 123W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,824

GP1M005A040CG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 522pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,084

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