트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDPF8D5N10C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET ENGR DEV-NOT REL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2475pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,758
FDPF8N50NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 8A TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,656
FDPF8N50NZF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET-II™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,470
FDPF8N50NZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,740
FDPF8N50NZU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET-II™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음24,582
FDPF8N60ZUT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음14,886
FDR4420A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음4,374
FDR6580 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3829pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음4,158
FDR6674A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음2,340
FDR838P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음8,946
FDR840P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4481pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음2,574
FDR842P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5350pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음6,552
FDR844P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4951pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음7,380
FDR858P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2010pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음4,302
FDS2070N3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1884pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,928
FDS2070N7 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1884pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,912
FDS2170N3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1292pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,100
FDS2170N7 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1292pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,608
FDS2572 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음100,350
FDS2582 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음53,850
FDS2670 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1228pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,222
FDS2672 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2535pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음87,714
FDS2672-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2535pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,704
FDS2734 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2610pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음65,700
FDS3170N7 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2714pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,050
FDS3512 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 634pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,238
FDS3570 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,316
FDS3572 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음36,570
FDS3580 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음25,062
FDS3590 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,676

FDPF8D5N10C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET ENGR DEV-NOT REL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2475pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,758

FDPF8N50NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,656

FDPF8N50NZF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET-II™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,470

FDPF8N50NZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,740

FDPF8N50NZU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET-II™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음24,582

FDPF8N60ZUT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-220F-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음14,886

FDR4420A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음4,374

FDR6580

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3829pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음4,158

FDR6674A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음2,340

FDR838P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음8,946

FDR840P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4481pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음2,574

FDR842P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5350pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음6,552

FDR844P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4951pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음7,380

FDR858P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2010pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음4,302

FDS2070N3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1884pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,928

FDS2070N7

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1884pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,912

FDS2170N3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1292pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,100

FDS2170N7

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1292pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,608

FDS2572

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음100,350

FDS2582

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음53,850

FDS2670

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1228pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,222

FDS2672

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2535pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음87,714

FDS2672-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2535pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,704

FDS2734

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2610pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음65,700

FDS3170N7

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2714pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,050

FDS3512

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 634pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,238

FDS3570

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,316

FDS3572

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음36,570

FDS3580

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음25,062

FDS3590

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,676

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message