트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMC4D9P20X8 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET -20V -75A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,606
FDMC510P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 116nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7860pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음385,578
FDMC510P-F106 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 ST3 20V/8V PCH ERTREN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 116nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7860pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,142
FDMC5614P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1055pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음295,590
FDMC610P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 80A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 99nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,646
FDMC612PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 14A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7995pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,904
FDMC6296 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2141pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 2.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,398
FDMC6675BZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2865pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음76,644
FDMC6675BZ-T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,240
FDMC6679AZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음396,396
FDMC6683PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC POWER MANAGEMENT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7995pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,186
FDMC6686P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 122nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음103,368
FDMC6688P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7435pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음85,884
FDMC7570S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4410pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,834
FDMC7572S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2705pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,254
FDMC7582 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1795pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,516
FDMC7660 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4830pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음116,718
FDMC7660DC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Dual Cool™, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5170pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool ™ 33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,212
FDMC7660S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V POWER33 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4325pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,632
FDMC7664 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.8A (Ta), 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4865pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,714
FDMC7672 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.9A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3890pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,256
FDMC7672_F125 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC POWER MANAGEMENT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.9A (Ta), 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3890pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,218
FDMC7672S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음69,252
FDMC7672S-F126 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,816
FDMC7678 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 17.5A 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음23,094
FDMC7680 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2855pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음57,882
FDMC7692 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음27,498
FDMC7692_F126 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,970
FDMC7692S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,282
FDMC7692S-F126 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음2,754

FDMC4D9P20X8

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET -20V -75A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,606

FDMC510P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 116nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7860pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음385,578

FDMC510P-F106

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

ST3 20V/8V PCH ERTREN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 116nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7860pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,142

FDMC5614P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1055pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음295,590

FDMC610P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 80A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 99nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,646

FDMC612PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7995pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,904

FDMC6296

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2141pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,398

FDMC6675BZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2865pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음76,644

FDMC6675BZ-T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,240

FDMC6679AZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음396,396

FDMC6683PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC POWER MANAGEMENT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7995pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,186

FDMC6686P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 122nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음103,368

FDMC6688P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7435pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음85,884

FDMC7570S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4410pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,834

FDMC7572S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2705pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,254

FDMC7582

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1795pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,516

FDMC7660

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4830pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음116,718

FDMC7660DC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5170pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool ™ 33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,212

FDMC7660S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V POWER33

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4325pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,632

FDMC7664

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.8A (Ta), 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4865pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,714

FDMC7672

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.9A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3890pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,256

FDMC7672_F125

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC POWER MANAGEMENT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.9A (Ta), 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3890pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,218

FDMC7672S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음69,252

FDMC7672S-F126

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,816

FDMC7678

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17.5A 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음23,094

FDMC7680

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2855pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음57,882

FDMC7692

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음27,498

FDMC7692_F126

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,970

FDMC7692S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,282

FDMC7692S-F126

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음2,754

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