트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDFS2P103A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,228
FDFS2P106A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 714pF @ 30V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,508
FDFS2P753AZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,560
FDFS2P753Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,758
FDFS6N303 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,454
FDFS6N548 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음36,012
FDFS6N754 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 299pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,100
FDG311N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음51,930
FDG312P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음7,020
FDG313N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음5,040
FDG313N_D87Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음3,490
FDG314P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음6,606
FDG315N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음334,368
FDG316P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음205,926
FDG326P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음5,706
FDG327N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 423pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음372,822
FDG327NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 412pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음313,824
FDG328P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 337pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음232,728
FDG329N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 324pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음8,982
FDG330P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 477pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음5,076
FDG332PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음203,262
FDG361N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음3,834
FDG410NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 420mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음56,688
FDH038AN08A1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8665pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 450W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,164
FDH047AN08A0 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 138nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,712
FDH055N15A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V TO-247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 158A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9445pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 429W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,940
FDH15N50 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 15A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,150
FDH210N08 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 462W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,492
FDH27N50 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 450W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,852
FDH3632 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음106,176

FDFS2P103A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,228

FDFS2P106A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 714pF @ 30V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,508

FDFS2P753AZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,560

FDFS2P753Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,758

FDFS6N303

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,454

FDFS6N548

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음36,012

FDFS6N754

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 299pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,100

FDG311N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음51,930

FDG312P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음7,020

FDG313N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음5,040

FDG313N_D87Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음3,490

FDG314P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음6,606

FDG315N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음334,368

FDG316P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음205,926

FDG326P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음5,706

FDG327N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 423pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음372,822

FDG327NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 412pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음313,824

FDG328P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 337pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음232,728

FDG329N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 324pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음8,982

FDG330P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 477pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음5,076

FDG332PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음203,262

FDG361N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음3,834

FDG410NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 420mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음56,688

FDH038AN08A1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8665pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 450W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,164

FDH047AN08A0

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 138nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,712

FDH055N15A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V TO-247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 158A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9445pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 429W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,940

FDH15N50

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 15A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,150

FDH210N08

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 462W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,492

FDH27N50

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 450W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,852

FDH3632

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음106,176

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