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부품 번호	설명	재고 있음
IXDI409CI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음3,528
IXDI409PI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,574
IXDI409SI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR LS 9A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,840
IXDI409SIA IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,894
IXDI409YI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)	재고 있음7,704
IXDI414CI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 22ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음3,492
IXDI414PI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 22ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,938
IXDI414SI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 14-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 22ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음4,590
IXDI414YI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO263-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 22ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)	재고 있음8,496
IXDI430CI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 8.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 30A, 30A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 16ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음8,910
IXDI430MCI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 8.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 30A, 30A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 16ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음2,304
IXDI430MYI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 8.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 30A, 30A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 16ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)	재고 있음4,554
IXDI430YI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 8.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 30A, 30A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 16ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)	재고 있음4,824
IXDI502D1 IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 2A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7.5ns, 6.5ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음4,212
IXDI502D1T/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7.5ns, 6.5ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음4,572
IXDI502PI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8-DIP 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7.5ns, 6.5ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,902
IXDI502SIA IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 2A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7.5ns, 6.5ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,038
IXDI502SIAT/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7.5ns, 6.5ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,946
IXDI504D1 IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 4A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 9ns, 8ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음2,646
IXDI504D1T/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 4A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 9ns, 8ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음5,994
IXDI504PI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-DIP 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 9ns, 8ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,490
IXDI504SIA IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 9ns, 8ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,920
IXDI504SIAT/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 9ns, 8ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,050
IXDI509D1 IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음6,768
IXDI509D1T/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음2,484
IXDI509PI IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 9A 8-DIP 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,858
IXDI509SIA IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 9A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,544
IXDI509SIAT/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 9A 8-SOIC 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,034
IXDI514D1 IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 14A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음6,930
IXDI514D1T/R IXYS	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SGL 14A 6-DFN 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-DFN (4x5)	재고 있음6,372

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