전력 관리 IC

PMIC-AC DC 컨버터, 오프라인 스위처 (3,694)
PMIC-배터리 충전기 (2,798)
PMIC-배터리 관리 (3,367)
PMIC-현재 규제 / 관리 (1,239)
PMIC-디스플레이 드라이버 (1,136)
PMIC-에너지 계량 (533)
PMIC-풀, 하프 브리지 드라이버 (950)
PMIC-게이트 드라이버 (5,436)
PMIC-핫스왑 컨트롤러 (2,029)
PMIC-레이저 드라이버 (412)
PMIC-LED 드라이버 (5,435)
PMIC-조명, 안정기 컨트롤러 (417)
PMIC-모터 드라이버, 컨트롤러 (3,435)
PMIC-OR 컨트롤러, 이상적인 다이오드 (451)
PMIC-PFC (역률 보정) (827)
PMIC-배전 스위치, 부하 드라이버 (6,110)
PMIC-전력 관리-전문 (4,737)
PMIC-PoE (Power Over Ethernet) 컨트롤러 (637)
PMIC-전원 공급 장치 컨트롤러, 모니터 (1,413)
PMIC-RMS-DC 컨버터 (125)
PMIC-감독관 (37,657)
PMIC-열 관리 (465)
PMIC-V / F 및 F / V 변환기 (125)
PMIC-기준 전압 (7,166)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 컨트롤러 (9,302)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 조정기 (30,726)
PMIC-전압 조정기-선형 (57,737)
PMIC-전압 조정기-선형 + 스위칭 (1,319)
PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

기록 194,611

페이지 521/6488

부품 번호	설명	재고 있음
IR2132JTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음2,772
IR2132PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,015
IR2132S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음5,430
IR2132SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음5,459
IR2132STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음4,014
IR2132STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음5,459
IR2133 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음7,668
IR2133J Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음8,100
IR2133JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음6,606
IR2133JTR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음6,480
IR2133JTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음2,358
IR2133PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음562
IR2133S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음5,040
IR2133SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음22,068
IR2133STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음2,772
IR2133STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음4,698
IR2135 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음7,272
IR2135J Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음6,318
IR2135JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음4,320
IR2135JTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음2,070
IR2135PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음3,654
IR2135S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음2,826
IR2135SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음6,516
IR2135STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음8,010
IR2135STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음5,958
IR2136 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 125ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음4,794
IR21362 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 125ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음7,884
IR21362J Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 125ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음3,492
IR21362JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 125ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음5,670
IR21362JTR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3PHASE 600V 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 125ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음8,514

«
‹
1
...
518
519
520
521 (current)
522
523
524
...
6488
›
»

Send Message

Certifications

전력 관리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message