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메모리 IC

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부품 번호
설명
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IS63LV1024L-12H-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음3,366
IS63LV1024L-12J
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음5,022
IS63LV1024L-12JL
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음10,357
IS63LV1024L-12JL-TR
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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음15,110
IS63LV1024L-12J-TR
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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음2,970
IS63WV1024BLL-12BLI
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IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)
재고 있음8,442
IS63WV1024BLL-12BLI-TR
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IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)
재고 있음2,700
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IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음8,190
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음2,484
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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음4,032
IS63WV1024BLL-12JLI-TR
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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음3,544
IS63WV1024BLL-12TLI
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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II
재고 있음6,792
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IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II
재고 있음2,466
IS63WV1288DBLL-10HLI
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음3,562
IS63WV1288DBLL-10HLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음2,178
IS63WV1288DBLL-10JLI
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음8,766
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음5,814
IS63WV1288DBLL-10KLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음2,988
IS63WV1288DBLL-10KLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음4,104
IS63WV1288DBLL-10TLI
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II
재고 있음10,197
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II
재고 있음7,920
IS64C25616AL-12CTLA3
IS64C25616AL-12CTLA3

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기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,100
IS64C25616AL-12CTLA3-TR
IS64C25616AL-12CTLA3-TR

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기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,352
IS64C6416AL-15TLA3
IS64C6416AL-15TLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,412
IS64C6416AL-15TLA3-TR
IS64C6416AL-15TLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,706
IS64LF102436B-7.5TQLA3
IS64LF102436B-7.5TQLA3

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기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)
재고 있음5,940
IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR
IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)
재고 있음3,348
IS64LF12832A-7.5TQLA3
IS64LF12832A-7.5TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4Mb (128K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음8,082
IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR
IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4Mb (128K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음4,914
IS64LF12832EC-7.5TQLA3
IS64LF12832EC-7.5TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4Mb (128K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)
재고 있음5,508