메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61LPD51236A-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-PBGA (13x15)	재고 있음2,196
IS61LPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Quad Port, Synchronous 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-PBGA (13x15)	재고 있음3,598
IS61LPS102418A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,122
IS61LPS102418A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,646
IS61LPS102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,766
IS61LPS102418A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,642
IS61LPS102418A-200TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,112
IS61LPS102418A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2,340
IS61LPS102418A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,752
IS61LPS102418A-200TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2,826
IS61LPS102418A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,582
IS61LPS102418A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,416
IS61LPS102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,600
IS61LPS102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음5,112
IS61LPS102418B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,190
IS61LPS102418B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,352
IS61LPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음5,040
IS61LPS102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음6,372
IS61LPS102436A-166TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,834
IS61LPS102436A-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,210
IS61LPS102436A-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,950
IS61LPS102436A-166TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,804
IS61LPS102436B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음3,690
IS61LPS102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음4,626
IS61LPS12836A-200B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,276
IS61LPS12836A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,484
IS61LPS12836A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,074
IS61LPS12836A-200B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,136
IS61LPS12836A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,760
IS61LPS12836A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,552

IS61LPD51236A-250B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-PBGA (13x15)

재고 있음2,196

IS61LPD51236A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Quad Port, Synchronous
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-PBGA (13x15)

재고 있음3,598

IS61LPS102418A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.1ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음4,122

IS61LPS102418A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.1ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음2,646

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.1ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음8,766

IS61LPS102418A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
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시계 주파수: 200MHz
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전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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기술: SRAM - Synchronous, SDR
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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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IS61LPS102418B-200TQLI-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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IS61LPS102436A-166TQL

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IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음3,834

IS61LPS102436A-166TQLI

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IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음5,210

IS61LPS102436A-166TQLI-TR

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IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음4,950

IS61LPS102436A-166TQL-TR

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IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음6,804

IS61LPS102436B-200TQLI

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IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음3,690

IS61LPS102436B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음4,626

IS61LPS12836A-200B2I

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음3,276

IS61LPS12836A-200B2I-TR

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음2,484

IS61LPS12836A-200B2LI

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음7,074

IS61LPS12836A-200B2LI-TR

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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시계 주파수: 200MHz
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공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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시계 주파수: 200MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

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