메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61C64AL-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음1,732
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOJ	재고 있음3,528
IS61C64AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I	재고 있음3,150
IS61C64AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I	재고 있음2,718
IS61DDB21M18A-300B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음5,004
IS61DDB21M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음3,490
IS61DDB21M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,748
IS61DDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음4,428
IS61DDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음5,364
IS61DDB21M36-275M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 275MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음8,550
IS61DDB21M36A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음7,344
IS61DDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음5,886
IS61DDB21M36C-300M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음4,122
IS61DDB21M36C-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음4,086
IS61DDB22M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음3,834
IS61DDB22M18-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음8,010
IS61DDB22M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음2,898
IS61DDB22M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음10,111
IS61DDB22M18C-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음7,812
IS61DDB22M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음4,752
IS61DDB22M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음4,770
IS61DDB22M36A-300B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음5,850
IS61DDB22M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,622
IS61DDB24M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음5,310
IS61DDB24M18A-300B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음8,478
IS61DDB24M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,776
IS61DDB251236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,434
IS61DDB41M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음2,646
IS61DDB41M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.85ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,028
IS61DDB41M36A-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음2,070

IS61C64AL-10JLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음1,732

IS61C64AL-10JLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOJ

재고 있음3,528

IS61C64AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP I

재고 있음3,150

IS61C64AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP I

재고 있음2,718

IS61DDB21M18A-300B4L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)

재고 있음5,004

IS61DDB21M18A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)

재고 있음3,490

IS61DDB21M18C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
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패키지 / 케이스: 165-LBGA
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재고 있음8,748

IS61DDB21M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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재고 있음4,428

IS61DDB21M36-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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재고 있음5,364

IS61DDB21M36-275M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61DDB21M36C-250M3L

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음5,886

IS61DDB21M36C-300M3

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음4,122

IS61DDB21M36C-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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패키지 / 케이스: 165-LBGA
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재고 있음4,086

IS61DDB22M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음3,834

IS61DDB22M18-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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재고 있음8,010

IS61DDB22M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음2,898

IS61DDB22M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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재고 있음10,111

IS61DDB22M18C-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)

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IS61DDB22M18C-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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재고 있음4,752

IS61DDB22M18C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음4,770

IS61DDB22M36A-300B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)

재고 있음5,850

IS61DDB22M36A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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접근 시간: -
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음8,622

IS61DDB24M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
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접근 시간: -
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음5,310

IS61DDB24M18A-300B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
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접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
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패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)

재고 있음8,478

IS61DDB24M18A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음7,776

IS61DDB251236A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음7,434

IS61DDB41M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음2,646

IS61DDB41M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
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시계 주파수: 250MHz
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전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음8,028

IS61DDB41M36A-300M3LI

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

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