메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS49FL004T-33VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC FLASH 4M PARALLEL 32VSOP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 33MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 120ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-VSOP	재고 있음8,676
IS49NLC18160-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음2,376
IS49NLC18160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,012
IS49NLC18160-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,392
IS49NLC18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,438
IS49NLC18160-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음4,536
IS49NLC18160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음8,658
IS49NLC18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,524
IS49NLC18160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음6,822
IS49NLC18160-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음8,208
IS49NLC18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음5,508
IS49NLC18320-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,012
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,308
IS49NLC18320-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,174
IS49NLC18320-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,294
IS49NLC18320-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음8,946
IS49NLC18320-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,220
IS49NLC18320-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,488
IS49NLC18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음2,826
IS49NLC18320-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,312
IS49NLC18320-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,896
IS49NLC18320A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음4,536
IS49NLC18320A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음3,312
IS49NLC36160-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,092
IS49NLC36160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,528
IS49NLC36160-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,690
IS49NLC36160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,112
IS49NLC36160-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,668
IS49NLC36160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,786
IS49NLC36160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음2,412

IS49FL004T-33VCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 4M PARALLEL 32VSOP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 33MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 120ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-VSOP

재고 있음8,676

IS49NLC18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음2,376

IS49NLC18160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,012

IS49NLC18160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,392

IS49NLC18160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,438

IS49NLC18160-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음4,536

IS49NLC18160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음8,658

IS49NLC18160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,524

IS49NLC18160-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음6,822

IS49NLC18160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음8,208

IS49NLC18160-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음5,508

IS49NLC18320-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,012

IS49NLC18320-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,308

IS49NLC18320-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,174

IS49NLC18320-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,294

IS49NLC18320-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음8,946

IS49NLC18320-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,220

IS49NLC18320-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,488

IS49NLC18320-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음2,826

IS49NLC18320-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,312

IS49NLC18320-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,896

IS49NLC18320A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음4,536

IS49NLC18320A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음3,312

IS49NLC36160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,092

IS49NLC36160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,528

IS49NLC36160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,690

IS49NLC36160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,112

IS49NLC36160-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,668

IS49NLC36160-33B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,786

IS49NLC36160-33BI

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

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