메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS42RM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음6,750
IS42RM16200D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음8,172
IS42RM16200D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음3,708
IS42RM16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음5,058
IS42RM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음7,668
IS42RM16800G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음4,374
IS42RM16800G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음6,588
IS42RM16800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음5,490
IS42RM16800H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음3,544
IS42RM16800H-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음4,140
IS42RM16800H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음5,940
IS42RM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,212
IS42RM32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,274
IS42RM32100D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,598
IS42RM32100D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,940
IS42RM32160C-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-LFBGA 공급자 장치 패키지: 90-WBGA (8x13)	재고 있음5,814
IS42RM32160C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-LFBGA 공급자 장치 패키지: 90-WBGA (8x13)	재고 있음6,750
IS42RM32160C-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-LFBGA 공급자 장치 패키지: 90-WBGA (8x13)	재고 있음4,536
IS42RM32160C-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-LFBGA 공급자 장치 패키지: 90-WBGA (8x13)	재고 있음5,400
IS42RM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,672
IS42RM32160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,164
IS42RM32160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,780
IS42RM32160E-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 3V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,626
IS42RM32200K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 64Mb (2M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,732
IS42RM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 64Mb (2M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,238
IS42RM32200M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 64Mb (2M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,802
IS42RM32200M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 64Mb (2M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,830
IS42RM32400G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,082
IS42RM32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,506
IS42RM32400G-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,304

IS42RM16200D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음6,750

IS42RM16200D-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음8,172

IS42RM16200D-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음3,708

IS42RM16800G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음5,058

IS42RM16800G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음7,668

IS42RM16800G-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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재고 있음4,374

IS42RM16800G-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
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시계 주파수: 133MHz
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
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IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
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시계 주파수: 133MHz
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IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SDRAM - Mobile
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재고 있음3,780

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 2.3V ~ 3V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음4,626

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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IS42RM32200K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SDRAM - Mobile
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IS42RM32200M-6BLI

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기억

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SDRAM - Mobile
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재고 있음8,802

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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 64Mb (2M x 32)
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패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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IS42RM32400G-6BLI

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기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
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시계 주파수: 166MHz
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접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
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시계 주파수: 166MHz
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

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