메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IDT71V25761S166PFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,292
IDT71V25761S183PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2,538
IDT71V25761S183PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,436
IDT71V25761S183PFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음7,866
IDT71V25761S183PFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음8,370
IDT71V25761S200PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음6,732
IDT71V25761S200PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음7,920
IDT71V25761S200PFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,248
IDT71V25761S200PFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음6,156
IDT71V25761SA166BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음5,382
IDT71V25761SA166BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,768
IDT71V25761SA166BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,892
IDT71V25761SA166BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음5,940
IDT71V25761SA166BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음6,192
IDT71V25761SA166BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,268
IDT71V25761SA166BQI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음8,118
IDT71V25761SA166BQI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음2,718
IDT71V25761SA183BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음5,616
IDT71V25761SA183BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,418
IDT71V25761SA183BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,560
IDT71V25761SA183BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,892
IDT71V25761SA183BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음3,996
IDT71V25761SA183BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,752
IDT71V25761SA183BQI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,542
IDT71V25761SA183BQI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 183MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음8,586
IDT71V25761SA200BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,942
IDT71V25761SA200BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,164
IDT71V25761SA200BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음8,514
IDT71V25761SA200BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음5,418
IDT71V25761SA200BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음3,870

IDT71V25761S166PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음5,292

IDT71V25761S183PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음2,538

IDT71V25761S183PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음5,436

IDT71V25761S183PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음7,866

IDT71V25761S183PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음8,370

IDT71V25761S200PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음6,732

IDT71V25761S200PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
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재고 있음7,920

IDT71V25761S200PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음4,248

IDT71V25761S200PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음6,156

IDT71V25761SA166BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음5,382

IDT71V25761SA166BG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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패키지 / 케이스: 119-BGA
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재고 있음6,768

IDT71V25761SA166BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음8,892

IDT71V25761SA166BGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
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재고 있음5,940

IDT71V25761SA166BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음6,192

IDT71V25761SA166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
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재고 있음2,268

IDT71V25761SA166BQI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음8,118

IDT71V25761SA166BQI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음2,718

IDT71V25761SA183BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
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재고 있음5,616

IDT71V25761SA183BG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,418

IDT71V25761SA183BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,560

IDT71V25761SA183BGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
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재고 있음8,892

IDT71V25761SA183BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음3,996

IDT71V25761SA183BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,752

IDT71V25761SA183BQI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음7,542

IDT71V25761SA183BQI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 183MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
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재고 있음8,586

IDT71V25761SA200BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,942

IDT71V25761SA200BG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,164

IDT71V25761SA200BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음8,514

IDT71V25761SA200BGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음5,418

IDT71V25761SA200BQ

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

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