메모리 IC

S29GL01GS11TFIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS11TFIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS11TFV010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS11TFV013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS11TFV020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS11TFV023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS11WEI019

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Wafer

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S29GL01GS11WEI029

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Wafer

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S29GL01GS12DHIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GS12DHIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GS12DHVV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GS12DHVV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GS12FHIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GS12FHIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GS12FHIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GS12TFIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS12TFIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GS12TFVV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 120ns
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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S29GL01GT10DHA020

Cypress Semiconductor

기억

IC 1 GB FLASH MEMORY

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: *
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GT10DHA023

Cypress Semiconductor

기억

IC 1 GB FLASH MEMORY

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: *
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GT10DHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GT10DHI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GT10DHI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GT10DHSS20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL01GT10FAI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GT10FAI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GT10FAI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GT10FAI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GT10FAI030

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: *
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL01GT10FHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-T
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 100ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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