메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 272-WFBGA 공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)	재고 있음8,046
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 272-WFBGA 공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)	재고 있음7,146
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 272-WFBGA 공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)	재고 있음4,644
MT53B384M64D4NK-053 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음8,622
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음8,892
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음3,400
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음7,938
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음4,788
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음7,380
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음2,502
MT53B384M64D4NK-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음7,488
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음7,452
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음4,860
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음5,814
MT53B384M64D4NK-062 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음6,534
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음2,376
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,608
MT53B384M64D4TP-062 XT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,362
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,140
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,856
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,866
MT53B384M64D4TX-053 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,820
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,168
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,812
MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,858
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,994
MT53B4DAANK-DC Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음8,820
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음3,454
MT53B4DAEZ-DC TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,904

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 272-WFBGA
공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)

재고 있음8,046

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 272-WFBGA
공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)

재고 있음7,146

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 272-WFBGA
공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)

재고 있음4,644

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음8,622

MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음8,892

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음3,400

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음7,938

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음4,788

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
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시계 주파수: 1866MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
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MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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재고 있음2,502

MT53B384M64D4NK-062 WT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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패키지 / 케이스: 366-WFBGA
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MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음5,814

MT53B384M64D4NK-062 XT:B

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
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시계 주파수: 1600MHz
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전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
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패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음6,534

MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

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MT53B384M64D4NZ-053 WT:C

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IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C

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IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
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재고 있음4,608

MT53B384M64D4TP-062 XT:C

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
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시계 주파수: 1600MHz
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MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,140

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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재고 있음8,856

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
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장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,866

MT53B384M64D4TX-053 WT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,820

MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
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작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,168

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
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장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,812

MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,858

MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,994

MT53B4DAANK-DC

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음8,820

MT53B4DABNK-DC

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음3,454

MT53B4DAEZ-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
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전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

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