메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT48LC64M8A2P-7E:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,250
MT48LC64M8A2TG-75:C Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음12,768
MT48LC64M8A2TG-75:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음4,230
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,222
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음17,172
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,840
MT48LC64M8A2TG-75 L:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,276
MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,826
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음6,714
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,938
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음6,390
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음8,874
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음600
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음1,236
MT48LC8M16A2B4-6A:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음3,315
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음6,318
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음4,194
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음4,302
MT48LC8M16A2B4-75:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음5,022
MT48LC8M16A2B4-75:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음4,680
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,848
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음4,734
MT48LC8M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음3,528
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음5,094
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,966
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,888
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음5,238
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음8,730
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,490
MT48LC8M16A2P-6A:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음4,158

MT48LC64M8A2P-7E:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,250

MT48LC64M8A2TG-75:C

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음12,768

MT48LC64M8A2TG-75:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음4,230

MT48LC64M8A2TG-75 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,222

MT48LC64M8A2TG-75:IT:C

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음17,172

MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,840

MT48LC64M8A2TG-75 L:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,276

MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,826

MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음6,714

MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,938

MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음6,390

MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음8,874

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음600

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음1,236

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음3,315

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음6,318

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음4,194

MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC8M16A2B4-75:G

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음5,022

MT48LC8M16A2B4-75:G TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음4,680

MT48LC8M16A2B4-75 IT:G

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,848

MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음4,734

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음3,528

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음5,094

MT48LC8M16A2P-6A AAT:L

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,966

MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,888

MT48LC8M16A2P-6A AIT:L

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음5,238

MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음8,730

MT48LC8M16A2P-6A:G

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,490

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

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