메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음8,082
MT48H32M16LFB4-75 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음8,874
MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,034
MT48H32M16LFBF-6:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)	재고 있음7,848
MT48H32M16LFBF-6:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)	재고 있음3,544
MT48H32M16LFBF-75:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)	재고 있음8,262
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)	재고 있음3,204
MT48H32M16LFCJ-75:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (10x11.5)	재고 있음4,770
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (10x11.5)	재고 있음6,660
MT48H4M16LFB4-10 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음6,804
MT48H4M16LFB4-10 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음5,904
MT48H4M16LFB4-10 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음5,454
MT48H4M16LFB4-10 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음3,222
MT48H4M16LFB4-75:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음6,138
MT48H4M16LFB4-75:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음5,688
MT48H4M16LFB4-75 IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,632
MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음3,186
MT48H4M16LFB4-8 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,344
MT48H4M16LFB4-8:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음3,942
MT48H4M16LFB4-8:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음4,626
MT48H4M16LFB4-8 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,592
MT48H4M16LFB4-8 IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,920
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,182
MT48H4M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,776
MT48H4M16LFB4-8 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,556
MT48H4M16LFF4-10 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음5,382
MT48H4M16LFF4-10 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음7,290
MT48H4M16LFF4-10 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,016
MT48H4M16LFF4-8 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,412
MT48H4M16LFF4-8 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,754

MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음8,082

MT48H32M16LFB4-75 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음8,874

MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음2,034

MT48H32M16LFBF-6:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)

재고 있음7,848

MT48H32M16LFBF-6:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)

재고 있음3,544

MT48H32M16LFBF-75:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)

재고 있음8,262

MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)

재고 있음3,204

MT48H32M16LFCJ-75:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (10x11.5)

재고 있음4,770

MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (10x11.5)

재고 있음6,660

MT48H4M16LFB4-10

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음6,804

MT48H4M16LFB4-10 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음5,904

MT48H4M16LFB4-10 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음5,454

MT48H4M16LFB4-10 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음3,222

MT48H4M16LFB4-75:H

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음6,138

MT48H4M16LFB4-75:H TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음5,688

MT48H4M16LFB4-75 IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,632

MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음3,186

MT48H4M16LFB4-8

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,344

MT48H4M16LFB4-8:H

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음3,942

MT48H4M16LFB4-8:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음4,626

MT48H4M16LFB4-8 IT

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음2,592

MT48H4M16LFB4-8 IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,920

MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,182

MT48H4M16LFB4-8 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,776

MT48H4M16LFB4-8 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음2,556

MT48H4M16LFF4-10

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음5,382

MT48H4M16LFF4-10 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음7,290

MT48H4M16LFF4-10 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음2,016

MT48H4M16LFF4-8

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음2,412

MT48H4M16LFF4-8 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

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