메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI 24TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음7,902
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음14,814
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI 24TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음12,888
MT29F1G01ABAFD12-IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음2,808
MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음4,518
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH SLC 1GBIT 1GX1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,148
MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI SOIC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음3,996
MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI 16SOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음7,164
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI SOIC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음8,136
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI SOIC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음6,678
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음5,511
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI 8UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음28,416
MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음8,154
MT29F1G01ABBFDM78A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH SLC 1GBIT 1GX1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,470
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI SOIC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음5,544
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI SOIC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음3,454
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음6,300
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G SPI 8UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (1G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음7,416
MT29F1G08ABADAH4:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음105,881
MT29F1G08ABADAH4:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음7,110
MT29F1G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,384
MT29F1G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,495
MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음5,958
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음7,164
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음4,518
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음1,068
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음6,192
MT29F1G08ABADAWP:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음51,462
MT29F1G08ABADAWP:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,604
MT29F1G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음6,840

MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 24TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음7,902

MT29F1G01ABAFD12-AAT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음14,814

MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 24TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음12,888

MT29F1G01ABAFD12-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음2,808

MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음4,518

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH SLC 1GBIT 1GX1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,148

MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음3,996

MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 16SOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음7,164

MT29F1G01ABAFDSF-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음8,136

MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음6,678

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음5,511

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 8UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음28,416

MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음8,154

MT29F1G01ABBFDM78A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH SLC 1GBIT 1GX1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,470

MT29F1G01ABBFDSF-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음5,544

MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음3,454

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음6,300

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 8UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (1G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음7,416

MT29F1G08ABADAH4:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음105,881

MT29F1G08ABADAH4:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음7,110

MT29F1G08ABADAH4-E:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,384

MT29F1G08ABADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,495

MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음5,958

MT29F1G08ABADAH4-ITE:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음7,164

MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음4,518

MT29F1G08ABADAH4-ITX:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음1,068

MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음6,192

MT29F1G08ABADAWP:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음51,462

MT29F1G08ABADAWP:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,604

MT29F1G08ABADAWP-E:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음6,840

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