다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
1N6479-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,598
1N6479HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,336
1N6479HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,472
1N647UR-1 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 400mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AA (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AA 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,992
1N6480-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음35,568
1N6480-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,922
1N6480HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,578
1N6480HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,608
1N648-1 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 500V 전류-평균 정류 (Io): 400mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 500V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지: DO-35 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,446
1N6481-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음35,604
1N6481-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,778
1N6481HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,682
1N6481HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,118
1N6482-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음44,874
1N6482-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,136
1N6482HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,034
1N6482HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,470
1N6483-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음31,410
1N6483-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,420
1N6483HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,590
1N6483HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,058
1N6484-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음29,142
1N6484-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,146
1N6484HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,020
1N6484HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AB 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,604
1N649-1 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 400mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지: DO-35 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음21,960
1N649UR-1 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 400mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AA (Glass) 공급자 장치 패키지: DO-213AA 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,856
1N6536 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: A, Axial 작동 온도-접합: -	재고 있음4,356
1N6537 Microsemi	정류기-싱글 DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음7,236
1N6538 Microsemi	정류기-싱글 DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음2,700

1N6479-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,598

1N6479HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,336

1N6479HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,472

1N647UR-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 400mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AA
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,992

1N6480-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음35,568

1N6480-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,922

1N6480HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,578

1N6480HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,608

1N648-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 500V
전류-평균 정류 (Io): 400mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 500V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지: DO-35
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,446

1N6481-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음35,604

1N6481-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,778

1N6481HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,682

1N6481HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,118

1N6482-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음44,874

1N6482-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,136

1N6482HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,034

1N6482HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,470

1N6483-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음31,410

1N6483-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,420

1N6483HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,590

1N6483HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,058

1N6484-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음29,142

1N6484-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,146

1N6484HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,020

1N6484HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AB
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,604

1N649-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 400mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지: DO-35
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음21,960

1N649UR-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 400mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지: DO-213AA
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,856

1N6536

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 30ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: A, Axial
작동 온도-접합: -

재고 있음4,356

1N6537

Microsemi

정류기-싱글

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음7,236

1N6538

Microsemi

정류기-싱글

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음2,700

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