ZXMC3A18DN8TA
참조 용
| 부품 번호 | ZXMC3A18DN8TA |
| PNEDA 부품 번호 | ZXMC3A18DN8TA |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,506 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZXMC3A18DN8TA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZXMC3A18DN8TA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ZXMC3A18DN8TA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.8A, 4.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 IXYS 시리즈 Polar™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A, 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2720pF @ 25V 전력-최대 125W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A Rds On (최대) @ Id, Vgs 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2630pF @ 25V 전력-최대 132W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 660mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-DFN-EP (2x5) |
