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W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

참조 용

부품 번호 W947D2HBJX5I TR
PNEDA 부품 번호 W947D2HBJX5I-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W947D2HBJX5I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W947D2HBJX5I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W947D2HBJX5I TR, W947D2HBJX5I TR 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 1,160.44 KB)
PDFW947D2HBJX6E 데이터 시트 표지
W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 2 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 3 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 4 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 5 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 6 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 7 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 8 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 9 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 10 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 11

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W947D2HBJX5I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-TFBGA
공급자 장치 패키지90-VFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-FCBGA (11x18.5)

W9864G2JB-6

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1.125Tb (144G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

IS66WV51216EALL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

71V65603S133BQG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

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