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W632GG6KB12I TR

W632GG6KB12I TR

참조 용

부품 번호 W632GG6KB12I TR
PNEDA 부품 번호 W632GG6KB12I-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GG6KB12I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG6KB12I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG6KB12I TR, W632GG6KB12I TR 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,812.62 KB)
PDFW632GG6KB-18 데이터 시트 표지
W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 2 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 3 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 4 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 5 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 6 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 7 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 8 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 9 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 10 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG6KB12I TR Distributor

W632GG6KB12I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

W632GG8KB-15

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-WBGA (10.5x8)

S34ML08G201BHI003

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

QMP9GL01GP12TFI010

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

MT41K512M8RG-093:N

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (7.5x10.6)

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