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W631GU6MB-12 TR

W631GU6MB-12 TR

참조 용

부품 번호 W631GU6MB-12 TR
PNEDA 부품 번호 W631GU6MB-12-TR
설명 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
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W631GU6MB-12 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GU6MB-12 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GU6MB-12 TR, W631GU6MB-12 TR 데이터 시트 (총 페이지: 161, 크기: 5,796.29 KB)
PDFW631GU6MB12J 데이터 시트 표지
W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 2 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 3 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 4 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 5 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 6 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 7 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 8 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 9 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 10 W631GU6MB12J 데이터 시트 페이지 11

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W631GU6MB-12 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-VFBGA (7.5x13)

관심을 가질만한 제품

93C46AT-I/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

25AA080DT-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CAT28C16ALI20

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-PDIP

MX25V8035FM1Q

Macronix

제조업체

Macronix

시리즈

MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

CY62256VNLL-70ZXET

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP I

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