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VS-MURB2020CT-1HM3

VS-MURB2020CT-1HM3

참조 용

부품 번호 VS-MURB2020CT-1HM3
PNEDA 부품 번호 VS-MURB2020CT-1HM3
설명 DIODE STANDARD 200V 10A TO262
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $14.3580
100 ---------- $13.6850
250 ---------- $13.0120
500 ---------- $12.3389
750 ---------- $11.7781
1,000 ---------- $11.2172
재고 있음 4,173
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-MURB2020CT-1HM3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-MURB2020CT-1HM3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
VS-MURB2020CT-1HM3, VS-MURB2020CT-1HM3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 1,110.14 KB)
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  • VS-MURB2020CT-1HM3 Distributor

VS-MURB2020CT-1HM3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)21ns
전류-역방향 누설 @ Vr15µA @ 200V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지TO-262

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다이오드 구성

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도-접합

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

다이오드 구성

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도-접합

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APT2X31DC120J

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 30A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

600µA @ 1200V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

DSEC30-06A

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFRED™

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.03V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD

MSCD120-18

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.43V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 1800V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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