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VS-GB150TH120U

VS-GB150TH120U

참조 용

부품 번호 VS-GB150TH120U
PNEDA 부품 번호 VS-GB150TH120U
설명 IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB150TH120U 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB150TH120U
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GB150TH120U, VS-GB150TH120U 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 157.95 KB)
PDFVS-GB150TH120U 데이터 시트 표지
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VS-GB150TH120U 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)280A
전력-최대1147W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce12.7nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지Double INT-A-PAK

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130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTCV90TL12T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Level Inverter - IGBT, FET

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.77nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

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SP3

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

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NTC 서미스터

Yes

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