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VS-GA100TS60SF

VS-GA100TS60SF

참조 용

부품 번호 VS-GA100TS60SF
PNEDA 부품 번호 VS-GA100TS60SF
설명 IGBT 600V 220A 780W
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GA100TS60SF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GA100TS60SF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GA100TS60SF, VS-GA100TS60SF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 147.61 KB)
PDFVS-GA100TS60SF 데이터 시트 표지
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  • VS-GA100TS60SF Distributor

VS-GA100TS60SF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형PT
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)220A
전력-최대780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.28V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce16.25nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스INT-A-Pak
공급자 장치 패키지INT-A-PAK

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

395W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF400R07KE4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT100DA170TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT225A170G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

340A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 225A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

BSM200GB170DLCE3256HDLA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1660W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

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