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VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

참조 용

부품 번호 VS-ENQ030L120S
PNEDA 부품 번호 VS-ENQ030L120S
설명 IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-ENQ030L120S 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-ENQ030L120S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-ENQ030L120S, VS-ENQ030L120S 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 428.64 KB)
PDFVS-ENQ030L120S 데이터 시트 표지
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VS-ENQ030L120S 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형Trench
구성Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)61A
전력-최대216W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.52V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)230µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.34nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스EMIPAK-1B
공급자 장치 패키지EMIPAK-1B

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1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DF400R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM200GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

370A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전력-최대

225W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

APTGT35SK120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전력-최대

205W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

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