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VS-20ETF10STRR-M3

VS-20ETF10STRR-M3

참조 용

부품 번호 VS-20ETF10STRR-M3
PNEDA 부품 번호 VS-20ETF10STRR-M3
설명 DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-20ETF10STRR-M3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-20ETF10STRR-M3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-20ETF10STRR-M3, VS-20ETF10STRR-M3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 212.92 KB)
PDFVS-20ETF10STRRPBF 데이터 시트 표지
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VS-20ETF10STRR-M3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.31V @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)400ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (D2Pak)
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

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MBRH20020R

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBR15200

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

400pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS12P3L-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

930pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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