VQ2001P
참조 용
| 부품 번호 | VQ2001P |
| PNEDA 부품 번호 | VQ2001P |
| 설명 | MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,760 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VQ2001P 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VQ2001P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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VQ2001P 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 600mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 12V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 EPC 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.4A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 6.3µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 294pF @ 15V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1190pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 210pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
