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VQ2001P

VQ2001P

참조 용

부품 번호 VQ2001P
PNEDA 부품 번호 VQ2001P
설명 MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,760
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VQ2001P 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VQ2001P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
VQ2001P, VQ2001P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 50.53 KB)
PDFVQ2001P-2 데이터 시트 표지
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  • VQ2001P Distributor

VQ2001P 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형4 P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 1A, 12V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds150pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 16V

전력-최대

4.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 30V

전력-최대

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

294mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24.5pF @ 20V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 6.3µA

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2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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500mW

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