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US5U30TR

US5U30TR

참조 용

부품 번호 US5U30TR
PNEDA 부품 번호 US5U30TR
설명 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
제조업체 Rohm Semiconductor
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재고 있음 4,590
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US5U30TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호US5U30TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
US5U30TR, US5U30TR 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,704.96 KB)
PDFUS5U30TR 데이터 시트 표지
US5U30TR 데이터 시트 페이지 2 US5U30TR 데이터 시트 페이지 3 US5U30TR 데이터 시트 페이지 4 US5U30TR 데이터 시트 페이지 5 US5U30TR 데이터 시트 페이지 6 US5U30TR 데이터 시트 페이지 7 US5U30TR 데이터 시트 페이지 8 US5U30TR 데이터 시트 페이지 9 US5U30TR 데이터 시트 페이지 10 US5U30TR 데이터 시트 페이지 11

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US5U30TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds150pF @ 10V
FET 기능Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TUMT5
패키지 / 케이스6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5420pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

390W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

NTD95N02RT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta), 86W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFU220PBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251AA

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SI6466ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.05W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

FQA16N50-F109

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

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BAT43WS-7-F

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NJW21194G

NJW21194G

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