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UPA1764G(0)-E1-AZ

UPA1764G(0)-E1-AZ

참조 용

부품 번호 UPA1764G(0)-E1-AZ
PNEDA 부품 번호 UPA1764G-0-E1-AZ
설명 TRANSISTOR
제조업체 Renesas Electronics America
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UPA1764G(0)-E1-AZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA1764G(0)-E1-AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA1764G(0)-E1-AZ, UPA1764G(0)-E1-AZ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 200.41 KB)
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  • UPA1764G(0)-E1-AZ Distributor

UPA1764G(0)-E1-AZ 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A, 35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2375pF @ 13V

전력-최대

2.1W, 2.3W

작동 온도

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장착 유형

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.6A, 7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1205pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

542pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

90V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

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