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UFS330J/TR13

UFS330J/TR13

참조 용

부품 번호 UFS330J/TR13
PNEDA 부품 번호 UFS330J-TR13
설명 DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 29 - 7월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UFS330J/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UFS330J/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
UFS330J/TR13, UFS330J/TR13 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 100.83 KB)
PDFUFS350G/TR13 데이터 시트 표지
UFS350G/TR13 데이터 시트 페이지 2

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UFS330J/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)300V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 300V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

27A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

470pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

22pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

JAN1N5814

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA (DO-4)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MSC030SDA120K

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

30A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

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