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UBA2032TS/N2,118

UBA2032TS/N2,118

참조 용

부품 번호 UBA2032TS/N2,118
PNEDA 부품 번호 UBA2032TS-N2-118
설명 IC DRIVER FULL BRIDGE 28-SSOP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UBA2032TS/N2 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UBA2032TS/N2,118
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
UBA2032TS/N2, UBA2032TS/N2 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 131.27 KB)
PDFUBA2032TS/N2 데이터 시트 표지
UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 2 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 3 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 4 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 5 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 6 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 7 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 8 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 9 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 10 UBA2032TS/N2 데이터 시트 페이지 11

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  • UBA2032TS/N2,118 Distributor

UBA2032TS/N2 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10.5V ~ 13.5V
논리 전압-VIL, VIH2V, 4V; 3V, 6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)180mA, 200mA
입력 유형RC Input Circuit
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)550V
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지28-SSOP

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

LTC7003EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 60V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-MSOP

IR2111S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

8.3V, 12.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC5020YM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

11V ~ 50V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

700ns, 500ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2153DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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