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TPIC46L02DBRG4

TPIC46L02DBRG4

참조 용

부품 번호 TPIC46L02DBRG4
PNEDA 부품 번호 TPIC46L02DBRG4
설명 IC DRIVER PRE FET 6 CHAN 28-SSOP
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 8,640
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPIC46L02DBRG4 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPIC46L02DBRG4
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TPIC46L02DBRG4 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수6
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.2mA, 1.2mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)3.5µs, 3µs
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지28-SSOP

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Infineon Technologies

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구동 구성

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채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

TC4404CPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns (Max)

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IXDF502D1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 6.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (4x5)

IXDN614SITR

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

14A, 14A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 18ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

ISL6613BCBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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