TK18E10K3,S1X(S
참조 용
| 부품 번호 | TK18E10K3,S1X(S |
| PNEDA 부품 번호 | TK18E10K3-S1X-S |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,752 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK18E10K3 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK18E10K3,S1X(S |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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TK18E10K3 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSIV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 320nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15100pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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