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TD350ID

TD350ID

참조 용

부품 번호 TD350ID
PNEDA 부품 번호 TD350ID
설명 IC DRIVER MOS/IGBT ADV 14-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TD350ID 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TD350ID
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
TD350ID, TD350ID 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 234.37 KB)
PDFTD350ID 데이터 시트 표지
TD350ID 데이터 시트 페이지 2 TD350ID 데이터 시트 페이지 3 TD350ID 데이터 시트 페이지 4 TD350ID 데이터 시트 페이지 5 TD350ID 데이터 시트 페이지 6 TD350ID 데이터 시트 페이지 7 TD350ID 데이터 시트 페이지 8 TD350ID 데이터 시트 페이지 9 TD350ID 데이터 시트 페이지 10 TD350ID 데이터 시트 페이지 11

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TD350ID 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급12V ~ 26V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 4.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 2.3A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)130ns, 75ns (Max)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지14-SO

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Infineon Technologies

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

210mA, 360mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FAN3122CMPX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10.6A, 11.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 19ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MLP (3x3)

LTC1693-2IS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

1.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 16ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6613EIB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

IR2108SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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