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TC7W00FKTE85LF

TC7W00FKTE85LF

참조 용

부품 번호 TC7W00FKTE85LF
PNEDA 부품 번호 TC7W00FKTE85LF
설명 IC GATE NAND 2CH 2-INP US8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TC7W00FKTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC7W00FKTE85LF
분류반도체로직 IC논리-게이트 및 인버터
데이터 시트
TC7W00FKTE85LF, TC7W00FKTE85LF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 214.25 KB)
PDFTC7W00FKTE85LF 데이터 시트 표지
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TC7W00FKTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈TC7W
논리 유형NAND Gate
회로 수2
입력 수2
특징-
전압-공급2V ~ 6V
전류-대기 (최대)1µA
전류-출력 높음, 낮음5.2mA, 5.2mA
논리 레벨-낮음0.5V ~ 1.8V
논리 레벨-높음1.5V ~ 4.2V
V, 최대 CL에서 최대 전파 지연13ns @ 6V, 50pF
작동 온도-40°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지US8
패키지 / 케이스8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)

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1.65V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

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전류-출력 높음, 낮음

32mA, 32mA

논리 레벨-낮음

0.7V ~ 0.8V

논리 레벨-높음

1.7V ~ 2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

3.6ns @ 5V, 50pF

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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논리 유형

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회로 수

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특징

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전압-공급

2V ~ 6V

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전류-출력 높음, 낮음

5.2mA, 5.2mA

논리 레벨-낮음

0.1V ~ 0.26V

논리 레벨-높음

1.9V ~ 5.9V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

13ns @ 6V, 50pF

작동 온도

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장착 유형

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74LV

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회로 수

1

입력 수

2

특징

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

1µA

전류-출력 높음, 낮음

8mA, 8mA

논리 레벨-낮음

0.1V ~ 0.3V

논리 레벨-높음

1.28V ~ 4.6V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

5.1ns @ 5V, 30pF

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-X2SON (0.80x0.80)

패키지 / 케이스

5-XFDFN

SN74HC08APWR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

74HC

논리 유형

AND Gate

회로 수

4

입력 수

2

특징

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전압-공급

2V ~ 6V

전류-대기 (최대)

-

전류-출력 높음, 낮음

4mA, 4mA

논리 레벨-낮음

-

논리 레벨-높음

-

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

14-TSSOP

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14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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-

전압-공급

2V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

1µA

전류-출력 높음, 낮음

8mA, 8mA

논리 레벨-낮음

0.5V ~ 1.65V

논리 레벨-높음

1.5V ~ 3.85V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

7.9ns @ 5V, 50pF

작동 온도

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