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SURA8120T3G

SURA8120T3G

참조 용

부품 번호 SURA8120T3G
PNEDA 부품 번호 SURA8120T3G
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 81,558
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SURA8120T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SURA8120T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SURA8120T3G, SURA8120T3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 56.08 KB)
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SURA8120T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If875mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 35A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SRA

공급자 장치 패키지

SRA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JAN1N3611

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/228

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

HS3GB R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS16L RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAV21WS-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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