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SUP25P10-138-GE3

SUP25P10-138-GE3

참조 용

부품 번호 SUP25P10-138-GE3
PNEDA 부품 번호 SUP25P10-138-GE3
설명 MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SUP25P10-138-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SUP25P10-138-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • SUP25P10-138-GE3 Distributor

SUP25P10-138-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs13.8mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2100pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3130pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

108W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1650pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta), 38W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252 (MP-3ZK)

패키지 / 케이스

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APT43M60B2

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8590pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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8.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

38W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

169mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

172pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

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