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STW7N105K5

STW7N105K5

참조 용

부품 번호 STW7N105K5
PNEDA 부품 번호 STW7N105K5
설명 MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247
제조업체 STMicroelectronics
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STW7N105K5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STW7N105K5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STW7N105K5, STW7N105K5 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 984.01 KB)
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STW7N105K5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH5™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1050V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds380pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)110W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247
패키지 / 케이스TO-247-3

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

830mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 830mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

135pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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IXTY5N50P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 32.5A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

패키지 / 케이스

TO-247-3

FDZ293P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

754pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

9-BGA (1.5x1.6)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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3.4Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

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