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STP10NK80ZFP

STP10NK80ZFP

참조 용

부품 번호 STP10NK80ZFP
PNEDA 부품 번호 STP10NK80ZFP
설명 MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
제조업체 STMicroelectronics
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STP10NK80ZFP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STP10NK80ZFP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STP10NK80ZFP, STP10NK80ZFP 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 439.75 KB)
PDFSTP10NK80ZFP 데이터 시트 표지
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STP10NK80ZFP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs900mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2180pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FP
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1136pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

550mW (Ta), 6.25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18Ohm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

58W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK+

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQP5P10

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

BSB028N06NN3GXUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Ta), 90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 102µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12000pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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AD5293BRUZ-20

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AZ1117EH-3.3TRG1

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LT3045EDD#PBF

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TC4426AEOA

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