STO36N60M6
참조 용
| 부품 번호 | STO36N60M6 |
| PNEDA 부품 번호 | STO36N60M6 |
| 설명 | N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP., |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,210 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STO36N60M6 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STO36N60M6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STO36N60M6 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | MDmesh™ M6 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.75V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 44.3nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±25V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1960pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 230W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TOLL (HV) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerSFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SuperFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1490pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 36W (Tc) 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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