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STL8DN10LF3

STL8DN10LF3

참조 용

부품 번호 STL8DN10LF3
PNEDA 부품 번호 STL8DN10LF3
설명 MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $27.8588
100 ---------- $26.5529
250 ---------- $25.2471
500 ---------- $23.9412
750 ---------- $22.8529
1,000 ---------- $21.7647
재고 있음 989
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STL8DN10LF3 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STL8DN10LF3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STL8DN10LF3, STL8DN10LF3 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,021.06 KB)
PDFSTL8DN10LF3 데이터 시트 표지
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STL8DN10LF3 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds970pF @ 25V
전력-최대70W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6)

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ON Semiconductor

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FET 유형

N and P-Channel

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

QS8K13TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 10V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

FW389-TL-2W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

1.8W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI7964DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

Renesas Electronics America

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 10V

전력-최대

2.2W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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