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STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

참조 용

부품 번호 STGWT60H65DFB
PNEDA 부품 번호 STGWT60H65DFB
설명 IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
제조업체 STMicroelectronics
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예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGWT60H65DFB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWT60H65DFB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWT60H65DFB, STGWT60H65DFB 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,574.09 KB)
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STGWT60H65DFB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
전력-최대375W
에너지 전환1.09mJ (on), 626µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지306nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C51ns/160ns
테스트 조건400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 19A

전력-최대

250W

에너지 전환

15mJ (on), 30mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

1500V, 19A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

IRG4BC30KD-STRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

58A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

600µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGIB4630DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

47A

전류-수집기 펄스 (Icm)

54A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

전력-최대

206W

에너지 전환

95µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/105ns

테스트 조건

400V, 18A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220 Full Pack

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

AOB10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

180µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

262ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

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STPS0560Z

STPS0560Z

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NP5Q128A13ESFC0E

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

MC33174DR2G

MC33174DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC