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STFI15N60M2-EP

STFI15N60M2-EP

참조 용

부품 번호 STFI15N60M2-EP
PNEDA 부품 번호 STFI15N60M2-EP
설명 MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
제조업체 STMicroelectronics
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STFI15N60M2-EP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STFI15N60M2-EP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STFI15N60M2-EP, STFI15N60M2-EP 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 496.69 KB)
PDFSTF15N60M2-EP 데이터 시트 표지
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STFI15N60M2-EP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™ M2
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds590pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I2PAKFP (TO-281)
패키지 / 케이스TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 950mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

2N7000RLRA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

IXTQ450P2

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarP2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

IRF7749L2TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Ta), 375A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 120A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.9nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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