STB46N30M5
참조 용
| 부품 번호 | STB46N30M5 |
| PNEDA 부품 번호 | STB46N30M5 |
| 설명 | MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 21,084 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STB46N30M5 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STB46N30M5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STB46N30M5 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 300V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 53A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 26.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±25V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4240pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 250W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSIII FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 VESM 패키지 / 케이스 SOT-723 |
