SSM3K123TU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM3K123TU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM3K123TU-LF |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,646 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM3K123TU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM3K123TU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM3K123TU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSIII |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.2A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 3A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.6nC @ 4V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1010pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | UFM |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CE FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 231pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 25.7W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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